SIR120DP-T1-RE3

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Parte del produttore

SIR120DP-T1-RE3

Produttore
Vishay / Siliconix
Descrizione
MOSFET N-CH 80V 24.7A/106A PPAK
Categoria
prodotti a semiconduttori discreti
Famiglia
transistor - fet, mosfet - singoli
Serie
-
Disponibile
6695
Schede tecniche in linea
-
Inchiesta
  • serie:TrenchFET® Gen IV
  • pacchetto:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
  • stato di parte:Active
  • tipo di piedi:N-Channel
  • tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
  • drain to source tensione (vdss):80 V
  • corrente - scarico continuo (id) @ 25°c:24.7A (Ta), 106A (Tc)
  • tensione di azionamento (max rds acceso, min rds acceso):7.5V, 10V
  • rds su (max) @ id, vgs:3.55mOhm @ 15A, 10V
  • vgs(th) (max) @ id:3.5V @ 250µA
  • addebito del cancello (qg) (max) @ vgs:94 nC @ 10 V
  • vg (massimo):±20V
  • capacità di ingresso (ciss) (max) @ vds:4150 pF @ 40 V
  • caratteristica dei piedi:-
  • dissipazione di potenza (max):5.4W (Ta), 100W (Tc)
  • temperatura di esercizio:-55°C ~ 150°C (TJ)
  • tipo di montaggio:Surface Mount
  • pacchetto di dispositivi del fornitore:PowerPAK® SO-8
  • pacchetto / custodia:PowerPAK® SO-8
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