RM18P100HDE

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Parte del produttore

RM18P100HDE

Produttore
Rectron USA
Descrizione
MOSFET P-CH 100V 18A TO263-2
Categoria
prodotti a semiconduttori discreti
Famiglia
transistor - fet, mosfet - singoli
Serie
-
Disponibile
0
Schede tecniche in linea
-
Inchiesta
  • serie:-
  • pacchetto:Tape & Reel (TR)
  • stato di parte:Active
  • tipo di piedi:P-Channel
  • tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
  • drain to source tensione (vdss):100 V
  • corrente - scarico continuo (id) @ 25°c:18A (Tc)
  • tensione di azionamento (max rds acceso, min rds acceso):10V
  • rds su (max) @ id, vgs:100mOhm @ 16A, 10V
  • vgs(th) (max) @ id:3V @ 250µA
  • addebito del cancello (qg) (max) @ vgs:-
  • vg (massimo):±20V
  • capacità di ingresso (ciss) (max) @ vds:1300 pF @ 25 V
  • caratteristica dei piedi:-
  • dissipazione di potenza (max):70W (Tc)
  • temperatura di esercizio:-55°C ~ 150°C (TJ)
  • tipo di montaggio:Surface Mount
  • pacchetto di dispositivi del fornitore:TO-263-2
  • pacchetto / custodia:TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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