Name: SIHB12N65E-GE3
Brand: Vishay / Siliconix
SKU: SIHB12N65E-GE3
Rating: 5.0 (99 reviews)

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Parte del produttore: SIHB12N65E-GE3

Produttore: Vishay / Siliconix

Descrizione: MOSFET N-CH 650V 12A D2PAK

Categoria: prodotti a semiconduttori discreti

Famiglia: transistor - fet, mosfet - singoli

Serie: -

Disponibile: 700000

Schede tecniche in linea: SIHB12N65E-GE3 PDF

SIHB12N65E-GE3 Avviso

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serie:-
pacchetto:Tube
stato di parte:Active
tipo di piedi:N-Channel
tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
drain to source tensione (vdss):650 V
corrente - scarico continuo (id) @ 25°c:12A (Tc)
tensione di azionamento (max rds acceso, min rds acceso):10V
rds su (max) @ id, vgs:380mOhm @ 6A, 10V
vgs(th) (max) @ id:4V @ 250µA

addebito del cancello (qg) (max) @ vgs:70 nC @ 10 V
vg (massimo):±30V
capacità di ingresso (ciss) (max) @ vds:1224 pF @ 100 V
caratteristica dei piedi:-
dissipazione di potenza (max):156W (Tc)
temperatura di esercizio:-55°C ~ 150°C (TJ)
tipo di montaggio:Surface Mount
pacchetto di dispositivi del fornitore:D²PAK (TO-263)
pacchetto / custodia:TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

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Numero di parte	Descrizione	Azione	Prezzo unitario
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