UF3C120080K4S

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Parte del produttore

UF3C120080K4S

Produttore
UnitedSiC
Descrizione
SICFET N-CH 1200V 33A TO247-4
Categoria
prodotti a semiconduttori discreti
Famiglia
transistor - fet, mosfet - singoli
Serie
-
Disponibile
337
Schede tecniche in linea
-
Inchiesta
  • serie:-
  • pacchetto:Tube
  • stato di parte:Active
  • tipo di piedi:N-Channel
  • tecnologia:SiCFET (Cascode SiCJFET)
  • drain to source tensione (vdss):1200 V
  • corrente - scarico continuo (id) @ 25°c:33A (Tc)
  • tensione di azionamento (max rds acceso, min rds acceso):12V
  • rds su (max) @ id, vgs:100mOhm @ 20A, 12V
  • vgs(th) (max) @ id:6V @ 10mA
  • addebito del cancello (qg) (max) @ vgs:43 nC @ 12 V
  • vg (massimo):±25V
  • capacità di ingresso (ciss) (max) @ vds:1500 pF @ 100 V
  • caratteristica dei piedi:-
  • dissipazione di potenza (max):254.2W (Tc)
  • temperatura di esercizio:-55°C ~ 175°C (TJ)
  • tipo di montaggio:Through Hole
  • pacchetto di dispositivi del fornitore:TO-247-4
  • pacchetto / custodia:TO-247-4
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