Name: FDC5661N-F085
Brand: Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
SKU: FDC5661N-F085
Rating: 5.0 (99 reviews)

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Parte del produttore: FDC5661N-F085

Produttore: Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor

Descrizione: MOSFET N-CH 60V 4.3A SUPERSOT6

Categoria: prodotti a semiconduttori discreti

Famiglia: transistor - fet, mosfet - singoli

Serie: -

Disponibile: 31500

Schede tecniche in linea: FDC5661N-F085 PDF

FDC5661N-F085 Avviso

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serie:Automotive, AEC-Q101, PowerTrench®
pacchetto:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
stato di parte:Active
tipo di piedi:N-Channel
tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
drain to source tensione (vdss):60 V
corrente - scarico continuo (id) @ 25°c:4.3A (Ta)
tensione di azionamento (max rds acceso, min rds acceso):4.5V, 10V
rds su (max) @ id, vgs:47mOhm @ 4.3A, 10V
vgs(th) (max) @ id:3V @ 250µA

addebito del cancello (qg) (max) @ vgs:19 nC @ 10 V
vg (massimo):±20V
capacità di ingresso (ciss) (max) @ vds:763 pF @ 25 V
caratteristica dei piedi:-
dissipazione di potenza (max):1.6W (Ta)
temperatura di esercizio:-55°C ~ 150°C (TJ)
tipo di montaggio:Surface Mount
pacchetto di dispositivi del fornitore:SuperSOT™-6
pacchetto / custodia:SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

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Numero di parte	Descrizione	Azione	Prezzo unitario
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NVTFS4C05NTAG Rochester Electronics	POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 2	Disponibile: 4.725 Su ordine: 4.725	$1.42800
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FQD7N30TM Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor	MOSFET N-CH 300V 5.5A DPAK	Disponibile: 184.787 Su ordine: 184.787	$0.62200
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IRF7469TRPBF IR (Infineon Technologies)	MOSFET N-CH 40V 9A 8SO	Disponibile: 2.700 Su ordine: 2.700	$2.60000
FQB8P10TM Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor	MOSFET P-CH 100V 8A D2PAK	Disponibile: 400.000 Su ordine: 400.000	$1.65000