Name: SI7129DN-T1-GE3
Brand: Vishay / Siliconix
SKU: SI7129DN-T1-GE3
Rating: 5.0 (99 reviews)

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Parte del produttore: SI7129DN-T1-GE3

Produttore: Vishay / Siliconix

Descrizione: MOSFET P-CH 30V 35A PPAK1212-8

Categoria: prodotti a semiconduttori discreti

Famiglia: transistor - fet, mosfet - singoli

Serie: -

Disponibile: 120000

Schede tecniche in linea: SI7129DN-T1-GE3 PDF

SI7129DN-T1-GE3 Avviso

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serie:TrenchFET®
pacchetto:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
stato di parte:Active
tipo di piedi:P-Channel
tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
drain to source tensione (vdss):30 V
corrente - scarico continuo (id) @ 25°c:35A (Tc)
tensione di azionamento (max rds acceso, min rds acceso):4.5V, 10V
rds su (max) @ id, vgs:11.4mOhm @ 14.4A, 10V
vgs(th) (max) @ id:2.8V @ 250µA

addebito del cancello (qg) (max) @ vgs:71 nC @ 10 V
vg (massimo):±20V
capacità di ingresso (ciss) (max) @ vds:3345 pF @ 15 V
caratteristica dei piedi:-
dissipazione di potenza (max):3.8W (Ta), 52.1W (Tc)
temperatura di esercizio:-50°C ~ 150°C (TJ)
tipo di montaggio:Surface Mount
pacchetto di dispositivi del fornitore:PowerPAK® 1212-8
pacchetto / custodia:PowerPAK® 1212-8

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Numero di parte	Descrizione	Azione	Prezzo unitario
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