FDG312P

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Parte del produttore

FDG312P

Produttore
Rochester Electronics
Descrizione
MOSFET P-CH 20V 1.2A SC88
Categoria
prodotti a semiconduttori discreti
Famiglia
transistor - fet, mosfet - singoli
Serie
-
Disponibile
599208
Schede tecniche in linea
FDG312P PDF
Inchiesta
  • serie:PowerTrench®
  • pacchetto:Bulk
  • stato di parte:Active
  • tipo di piedi:P-Channel
  • tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
  • drain to source tensione (vdss):20 V
  • corrente - scarico continuo (id) @ 25°c:1.2A (Ta)
  • tensione di azionamento (max rds acceso, min rds acceso):2.5V, 4.5V
  • rds su (max) @ id, vgs:180mOhm @ 1.2A, 4.5V
  • vgs(th) (max) @ id:1.5V @ 250µA
  • addebito del cancello (qg) (max) @ vgs:5 nC @ 4.5 V
  • vg (massimo):±8V
  • capacità di ingresso (ciss) (max) @ vds:330 pF @ 10 V
  • caratteristica dei piedi:-
  • dissipazione di potenza (max):750mW (Ta)
  • temperatura di esercizio:-55°C ~ 150°C (TJ)
  • tipo di montaggio:Surface Mount
  • pacchetto di dispositivi del fornitore:SC-88 (SC-70-6)
  • pacchetto / custodia:6-TSSOP, SC-88, SOT-363
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