APTM120DA30T1G

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Parte del produttore

APTM120DA30T1G

Produttore
Roving Networks / Microchip Technology
Descrizione
MOSFET N-CH 1200V 31A SP1
Categoria
prodotti a semiconduttori discreti
Famiglia
transistor - fet, mosfet - singoli
Serie
-
Disponibile
0
Schede tecniche in linea
APTM120DA30T1G PDF
Inchiesta
  • serie:-
  • pacchetto:Bulk
  • stato di parte:Active
  • tipo di piedi:N-Channel
  • tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
  • drain to source tensione (vdss):1200 V
  • corrente - scarico continuo (id) @ 25°c:31A (Tc)
  • tensione di azionamento (max rds acceso, min rds acceso):10V
  • rds su (max) @ id, vgs:360mOhm @ 25A, 10V
  • vgs(th) (max) @ id:5V @ 2.5mA
  • addebito del cancello (qg) (max) @ vgs:560 nC @ 10 V
  • vg (massimo):±30V
  • capacità di ingresso (ciss) (max) @ vds:14560 pF @ 25 V
  • caratteristica dei piedi:-
  • dissipazione di potenza (max):657W (Tc)
  • temperatura di esercizio:-40°C ~ 150°C (TJ)
  • tipo di montaggio:Chassis Mount
  • pacchetto di dispositivi del fornitore:SP1
  • pacchetto / custodia:SP1
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