TP65H035G4WS

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Parte del produttore

TP65H035G4WS

Produttore
Transphorm
Descrizione
GANFET N-CH 650V 46.5A TO247-3
Categoria
prodotti a semiconduttori discreti
Famiglia
transistor - fet, mosfet - singoli
Serie
-
Disponibile
503
Schede tecniche in linea
-
Inchiesta
  • serie:-
  • pacchetto:Tube
  • stato di parte:Active
  • tipo di piedi:N-Channel
  • tecnologia:GaNFET (Cascode Gallium Nitride FET)
  • drain to source tensione (vdss):650 V
  • corrente - scarico continuo (id) @ 25°c:46.5A (Tc)
  • tensione di azionamento (max rds acceso, min rds acceso):10V
  • rds su (max) @ id, vgs:41mOhm @ 30A, 10V
  • vgs(th) (max) @ id:4.8V @ 1mA
  • addebito del cancello (qg) (max) @ vgs:22 nC @ 0 V
  • vg (massimo):±20V
  • capacità di ingresso (ciss) (max) @ vds:1500 pF @ 400 V
  • caratteristica dei piedi:-
  • dissipazione di potenza (max):156W (Tc)
  • temperatura di esercizio:-55°C ~ 150°C
  • tipo di montaggio:Through Hole
  • pacchetto di dispositivi del fornitore:TO-247-3
  • pacchetto / custodia:TO-247-3
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