GA10JT12-263

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Parte del produttore

GA10JT12-263

Produttore
GeneSiC Semiconductor
Descrizione
TRANS SJT 1200V 25A
Categoria
prodotti a semiconduttori discreti
Famiglia
transistor - fet, mosfet - singoli
Serie
-
Disponibile
170
Schede tecniche in linea
GA10JT12-263 PDF
Inchiesta
  • serie:-
  • pacchetto:Tube
  • stato di parte:Active
  • tipo di piedi:-
  • tecnologia:SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
  • drain to source tensione (vdss):1200 V
  • corrente - scarico continuo (id) @ 25°c:25A (Tc)
  • tensione di azionamento (max rds acceso, min rds acceso):-
  • rds su (max) @ id, vgs:120mOhm @ 10A
  • vgs(th) (max) @ id:-
  • addebito del cancello (qg) (max) @ vgs:-
  • vg (massimo):-
  • capacità di ingresso (ciss) (max) @ vds:1403 pF @ 800 V
  • caratteristica dei piedi:-
  • dissipazione di potenza (max):170W (Tc)
  • temperatura di esercizio:175°C (TJ)
  • tipo di montaggio:Surface Mount
  • pacchetto di dispositivi del fornitore:-
  • pacchetto / custodia:-
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