UF3C120150K4S

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Parte del produttore

UF3C120150K4S

Produttore
UnitedSiC
Descrizione
SICFET N-CH 1200V 18.4A TO247-4
Categoria
prodotti a semiconduttori discreti
Famiglia
transistor - fet, mosfet - singoli
Serie
-
Disponibile
460
Schede tecniche in linea
-
Inchiesta
  • serie:-
  • pacchetto:Tube
  • stato di parte:Active
  • tipo di piedi:N-Channel
  • tecnologia:SiCFET (Cascode SiCJFET)
  • drain to source tensione (vdss):1200 V
  • corrente - scarico continuo (id) @ 25°c:18.4A (Tc)
  • tensione di azionamento (max rds acceso, min rds acceso):12V
  • rds su (max) @ id, vgs:180mOhm @ 5A, 12V
  • vgs(th) (max) @ id:5.5V @ 10mA
  • addebito del cancello (qg) (max) @ vgs:25.7 nC @ 12 V
  • vg (massimo):±25V
  • capacità di ingresso (ciss) (max) @ vds:738 pF @ 100 V
  • caratteristica dei piedi:-
  • dissipazione di potenza (max):166.7W (Tc)
  • temperatura di esercizio:-55°C ~ 175°C (TJ)
  • tipo di montaggio:Through Hole
  • pacchetto di dispositivi del fornitore:TO-247-4
  • pacchetto / custodia:TO-247-4
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