FQI50N06TU

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Parte del produttore

FQI50N06TU

Produttore
Rochester Electronics
Descrizione
MOSFET N-CH 60V 50A I2PAK
Categoria
prodotti a semiconduttori discreti
Famiglia
transistor - fet, mosfet - singoli
Serie
-
Disponibile
1792
Schede tecniche in linea
FQI50N06TU PDF
Inchiesta
  • serie:QFET®
  • pacchetto:Bulk
  • stato di parte:Active
  • tipo di piedi:N-Channel
  • tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
  • drain to source tensione (vdss):60 V
  • corrente - scarico continuo (id) @ 25°c:50A (Tc)
  • tensione di azionamento (max rds acceso, min rds acceso):10V
  • rds su (max) @ id, vgs:22mOhm @ 25A, 10V
  • vgs(th) (max) @ id:4V @ 250µA
  • addebito del cancello (qg) (max) @ vgs:41 nC @ 10 V
  • vg (massimo):±25V
  • capacità di ingresso (ciss) (max) @ vds:1.54 pF @ 25 V
  • caratteristica dei piedi:-
  • dissipazione di potenza (max):3.75W (Ta), 120W (Tc)
  • temperatura di esercizio:-55°C ~ 175°C (TJ)
  • tipo di montaggio:Through Hole
  • pacchetto di dispositivi del fornitore:I2PAK (TO-262)
  • pacchetto / custodia:TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
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