SCTW90N65G2V

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Parte del produttore

SCTW90N65G2V

Produttore
STMicroelectronics
Descrizione
SICFET N-CH 650V 90A HIP247
Categoria
prodotti a semiconduttori discreti
Famiglia
transistor - fet, mosfet - singoli
Serie
-
Disponibile
9500
Schede tecniche in linea
-
Inchiesta
  • serie:-
  • pacchetto:Tube
  • stato di parte:Active
  • tipo di piedi:N-Channel
  • tecnologia:SiCFET (Silicon Carbide)
  • drain to source tensione (vdss):650 V
  • corrente - scarico continuo (id) @ 25°c:90A (Tc)
  • tensione di azionamento (max rds acceso, min rds acceso):18V
  • rds su (max) @ id, vgs:25mOhm @ 50A, 18V
  • vgs(th) (max) @ id:5V @ 250µA
  • addebito del cancello (qg) (max) @ vgs:157 nC @ 18 V
  • vg (massimo):+22V, -10V
  • capacità di ingresso (ciss) (max) @ vds:3300 pF @ 400 V
  • caratteristica dei piedi:-
  • dissipazione di potenza (max):390W (Tc)
  • temperatura di esercizio:-55°C ~ 200°C (TJ)
  • tipo di montaggio:Through Hole
  • pacchetto di dispositivi del fornitore:HiP247™
  • pacchetto / custodia:TO-247-3
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