IPA80R1K0CEXKSA2

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Parte del produttore

IPA80R1K0CEXKSA2

Produttore
IR (Infineon Technologies)
Descrizione
MOSFET N-CH 800V 5.7A TO220-FP
Categoria
prodotti a semiconduttori discreti
Famiglia
transistor - fet, mosfet - singoli
Serie
-
Disponibile
55371
Schede tecniche in linea
IPA80R1K0CEXKSA2 PDF
Inchiesta
  • serie:CoolMOS™ CE
  • pacchetto:Tube
  • stato di parte:Active
  • tipo di piedi:N-Channel
  • tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
  • drain to source tensione (vdss):800 V
  • corrente - scarico continuo (id) @ 25°c:5.7A (Tc)
  • tensione di azionamento (max rds acceso, min rds acceso):10V
  • rds su (max) @ id, vgs:950mOhm @ 3.6A, 10V
  • vgs(th) (max) @ id:3.9V @ 250µA
  • addebito del cancello (qg) (max) @ vgs:31 nC @ 10 V
  • vg (massimo):±20V
  • capacità di ingresso (ciss) (max) @ vds:785 pF @ 100 V
  • caratteristica dei piedi:-
  • dissipazione di potenza (max):32W (Tc)
  • temperatura di esercizio:-40°C ~ 150°C (TJ)
  • tipo di montaggio:Through Hole
  • pacchetto di dispositivi del fornitore:PG-TO220-FP
  • pacchetto / custodia:TO-220-3 Full Pack
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