UF3C065080B7S

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Parte del produttore

UF3C065080B7S

Produttore
UnitedSiC
Descrizione
SICFET P-CH 650V 27A D2PAK-7
Categoria
prodotti a semiconduttori discreti
Famiglia
transistor - fet, mosfet - singoli
Serie
-
Disponibile
780
Schede tecniche in linea
-
Inchiesta
  • serie:-
  • pacchetto:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
  • stato di parte:Active
  • tipo di piedi:N-Channel
  • tecnologia:SiCFET (Cascode SiCJFET)
  • drain to source tensione (vdss):650 V
  • corrente - scarico continuo (id) @ 25°c:27A (Tc)
  • tensione di azionamento (max rds acceso, min rds acceso):-
  • rds su (max) @ id, vgs:105mOhm @ 20A, 12V
  • vgs(th) (max) @ id:6V @ 10mA
  • addebito del cancello (qg) (max) @ vgs:23 nC @ 12 V
  • vg (massimo):±25V
  • capacità di ingresso (ciss) (max) @ vds:760 pF @ 100 V
  • caratteristica dei piedi:-
  • dissipazione di potenza (max):136.4W (Tc)
  • temperatura di esercizio:-55°C ~ 175°C (TJ)
  • tipo di montaggio:Surface Mount
  • pacchetto di dispositivi del fornitore:D2PAK-7
  • pacchetto / custodia:TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA
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