TK7Q60W,S1VQ

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Parte del produttore

TK7Q60W,S1VQ

Produttore
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Descrizione
MOSFET N-CH 600V 7A IPAK
Categoria
prodotti a semiconduttori discreti
Famiglia
transistor - fet, mosfet - singoli
Serie
-
Disponibile
0
Schede tecniche in linea
TK7Q60W,S1VQ PDF
Inchiesta
  • serie:DTMOSIV
  • pacchetto:Tube
  • stato di parte:Active
  • tipo di piedi:N-Channel
  • tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
  • drain to source tensione (vdss):600 V
  • corrente - scarico continuo (id) @ 25°c:7A (Ta)
  • tensione di azionamento (max rds acceso, min rds acceso):10V
  • rds su (max) @ id, vgs:600mOhm @ 3.5A, 10V
  • vgs(th) (max) @ id:3.7V @ 350µA
  • addebito del cancello (qg) (max) @ vgs:15 nC @ 10 V
  • vg (massimo):±30V
  • capacità di ingresso (ciss) (max) @ vds:490 pF @ 300 V
  • caratteristica dei piedi:-
  • dissipazione di potenza (max):60W (Tc)
  • temperatura di esercizio:150°C (TJ)
  • tipo di montaggio:Through Hole
  • pacchetto di dispositivi del fornitore:I-PAK
  • pacchetto / custodia:TO-251-3 Stub Leads, IPak
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