SIA427DJ-T1-GE3

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Parte del produttore

SIA427DJ-T1-GE3

Produttore
Vishay / Siliconix
Descrizione
MOSFET P-CH 8V 12A PPAK SC70-6
Categoria
prodotti a semiconduttori discreti
Famiglia
transistor - fet, mosfet - singoli
Serie
-
Disponibile
1546452
Schede tecniche in linea
SIA427DJ-T1-GE3 PDF
Inchiesta
  • serie:TrenchFET®
  • pacchetto:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
  • stato di parte:Active
  • tipo di piedi:P-Channel
  • tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
  • drain to source tensione (vdss):8 V
  • corrente - scarico continuo (id) @ 25°c:12A (Tc)
  • tensione di azionamento (max rds acceso, min rds acceso):1.2V, 4.5V
  • rds su (max) @ id, vgs:16mOhm @ 8.2A, 4.5V
  • vgs(th) (max) @ id:800mV @ 250µA
  • addebito del cancello (qg) (max) @ vgs:50 nC @ 5 V
  • vg (massimo):±5V
  • capacità di ingresso (ciss) (max) @ vds:2300 pF @ 4 V
  • caratteristica dei piedi:-
  • dissipazione di potenza (max):3.5W (Ta), 19W (Tc)
  • temperatura di esercizio:-55°C ~ 150°C (TJ)
  • tipo di montaggio:Surface Mount
  • pacchetto di dispositivi del fornitore:PowerPAK® SC-70-6 Single
  • pacchetto / custodia:PowerPAK® SC-70-6
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