PMPB95ENEAX

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Parte del produttore

PMPB95ENEAX

Produttore
Nexperia
Descrizione
MOSFET N-CH 80V 2.8A DFN2020MD-6
Categoria
prodotti a semiconduttori discreti
Famiglia
transistor - fet, mosfet - singoli
Serie
-
Disponibile
326
Schede tecniche in linea
PMPB95ENEAX PDF
Inchiesta
  • serie:-
  • pacchetto:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
  • stato di parte:Active
  • tipo di piedi:N-Channel
  • tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
  • drain to source tensione (vdss):80 V
  • corrente - scarico continuo (id) @ 25°c:2.8A (Ta)
  • tensione di azionamento (max rds acceso, min rds acceso):4.5V, 10V
  • rds su (max) @ id, vgs:105mOhm @ 2.8A, 10V
  • vgs(th) (max) @ id:2.7V @ 250µA
  • addebito del cancello (qg) (max) @ vgs:14.9 nC @ 10 V
  • vg (massimo):±20V
  • capacità di ingresso (ciss) (max) @ vds:504 pF @ 40 V
  • caratteristica dei piedi:-
  • dissipazione di potenza (max):1.6W (Ta), 15.6W (Tc)
  • temperatura di esercizio:-55°C ~ 150°C (TJ)
  • tipo di montaggio:Surface Mount
  • pacchetto di dispositivi del fornitore:DFN2020MD-6
  • pacchetto / custodia:6-UDFN Exposed Pad
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