IPP086N10N3GXKSA1

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Parte del produttore

IPP086N10N3GXKSA1

Produttore
IR (Infineon Technologies)
Descrizione
MOSFET N-CH 100V 80A TO220-3
Categoria
prodotti a semiconduttori discreti
Famiglia
transistor - fet, mosfet - singoli
Serie
-
Disponibile
0
Schede tecniche in linea
IPP086N10N3GXKSA1 PDF
Inchiesta
  • serie:OptiMOS™
  • pacchetto:Tube
  • stato di parte:Active
  • tipo di piedi:N-Channel
  • tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
  • drain to source tensione (vdss):100 V
  • corrente - scarico continuo (id) @ 25°c:80A (Tc)
  • tensione di azionamento (max rds acceso, min rds acceso):6V, 10V
  • rds su (max) @ id, vgs:8.6mOhm @ 73A, 10V
  • vgs(th) (max) @ id:3.5V @ 75µA
  • addebito del cancello (qg) (max) @ vgs:55 nC @ 10 V
  • vg (massimo):±20V
  • capacità di ingresso (ciss) (max) @ vds:3980 pF @ 50 V
  • caratteristica dei piedi:-
  • dissipazione di potenza (max):125W (Tc)
  • temperatura di esercizio:-55°C ~ 175°C (TJ)
  • tipo di montaggio:Through Hole
  • pacchetto di dispositivi del fornitore:PG-TO220-3
  • pacchetto / custodia:TO-220-3
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