TPH3212PS

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Parte del produttore

TPH3212PS

Produttore
Transphorm
Descrizione
GANFET N-CH 650V 27A TO220AB
Categoria
prodotti a semiconduttori discreti
Famiglia
transistor - fet, mosfet - singoli
Serie
-
Disponibile
559
Schede tecniche in linea
TPH3212PS PDF
Inchiesta
  • serie:-
  • pacchetto:Tube
  • stato di parte:Last Time Buy
  • tipo di piedi:N-Channel
  • tecnologia:GaNFET (Cascode Gallium Nitride FET)
  • drain to source tensione (vdss):650 V
  • corrente - scarico continuo (id) @ 25°c:27A (Tc)
  • tensione di azionamento (max rds acceso, min rds acceso):10V
  • rds su (max) @ id, vgs:72mOhm @ 17A, 8V
  • vgs(th) (max) @ id:2.6V @ 400uA
  • addebito del cancello (qg) (max) @ vgs:14 nC @ 8 V
  • vg (massimo):±18V
  • capacità di ingresso (ciss) (max) @ vds:1130 pF @ 400 V
  • caratteristica dei piedi:-
  • dissipazione di potenza (max):104W (Tc)
  • temperatura di esercizio:-55°C ~ 150°C (TJ)
  • tipo di montaggio:Through Hole
  • pacchetto di dispositivi del fornitore:TO-220AB
  • pacchetto / custodia:TO-220-3
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