Name: FDB3652
Brand: Rochester Electronics
SKU: FDB3652
Rating: 5.0 (99 reviews)

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Parte del produttore: FDB3652

Produttore: Rochester Electronics

Descrizione: MOSFET N-CH 100V 9A/61A D2PAK

Categoria: prodotti a semiconduttori discreti

Famiglia: transistor - fet, mosfet - singoli

Serie: -

Disponibile: 65200

Schede tecniche in linea: FDB3652 PDF

FDB3652 Avviso

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serie:PowerTrench®
pacchetto:Bulk
stato di parte:Active
tipo di piedi:N-Channel
tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
drain to source tensione (vdss):100 V
corrente - scarico continuo (id) @ 25°c:9A (Ta), 61A (Tc)
tensione di azionamento (max rds acceso, min rds acceso):-
rds su (max) @ id, vgs:16mOhm @ 61A, 10V
vgs(th) (max) @ id:4V @ 250µA

addebito del cancello (qg) (max) @ vgs:53 nC @ 10 V
vg (massimo):±20V
capacità di ingresso (ciss) (max) @ vds:2880 pF @ 25 V
caratteristica dei piedi:-
dissipazione di potenza (max):150W (Tc)
temperatura di esercizio:-55°C ~ 175°C (TJ)
tipo di montaggio:Surface Mount
pacchetto di dispositivi del fornitore:D2PAK (TO-263)
pacchetto / custodia:TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

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Numero di parte	Descrizione	Azione	Prezzo unitario
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SQ2337ES-T1_GE3 Vishay / Siliconix	MOSFET P-CH 80V 2.2A SOT23-3	Disponibile: 12.000 Su ordine: 12.000	$0.69000
SQM100N10-10_GE3 Vishay / Siliconix	MOSFET N-CH 100V 100A TO263	Disponibile: 99.007 Su ordine: 99.007	$2.97000
AOT430 Alpha and Omega Semiconductor, Inc.	MOSFET N-CH 75V 80A TO220	Disponibile: 1.500.000 Su ordine: 1.500.000	$0.73260
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IPP60R380C6 Rochester Electronics	POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1	Disponibile: 8.000 Su ordine: 8.000	$0.81000
FDT86106LZ Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor	MOSFET N-CH 100V 3.2A SOT223-4	Disponibile: 800.000 Su ordine: 800.000	$1.23000
ZXMN10A07FTA Zetex Semiconductors (Diodes Inc.)	MOSFET N-CH 100V 700MA SOT23-3	Disponibile: 270.000 Su ordine: 270.000	$0.43000