BSC026NE2LS5ATMA1

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Parte del produttore

BSC026NE2LS5ATMA1

Produttore
IR (Infineon Technologies)
Descrizione
MOSFET N-CH 25V 24A/82A TDSON
Categoria
prodotti a semiconduttori discreti
Famiglia
transistor - fet, mosfet - singoli
Serie
-
Disponibile
7439
Schede tecniche in linea
BSC026NE2LS5ATMA1 PDF
Inchiesta
  • serie:OptiMOS™
  • pacchetto:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
  • stato di parte:Active
  • tipo di piedi:N-Channel
  • tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
  • drain to source tensione (vdss):25 V
  • corrente - scarico continuo (id) @ 25°c:24A (Ta), 82A (Tc)
  • tensione di azionamento (max rds acceso, min rds acceso):4.5V, 10V
  • rds su (max) @ id, vgs:2.6mOhm @ 30A, 10V
  • vgs(th) (max) @ id:2V @ 250µA
  • addebito del cancello (qg) (max) @ vgs:16 nC @ 10 V
  • vg (massimo):±16V
  • capacità di ingresso (ciss) (max) @ vds:1100 pF @ 12 V
  • caratteristica dei piedi:-
  • dissipazione di potenza (max):2.5W (Ta), 29W (Tc)
  • temperatura di esercizio:-55°C ~ 150°C (TJ)
  • tipo di montaggio:Surface Mount
  • pacchetto di dispositivi del fornitore:PG-TDSON-8-7
  • pacchetto / custodia:8-PowerTDFN
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