Name: BSZ100N06LS3GATMA1
Brand: IR (Infineon Technologies)
SKU: BSZ100N06LS3GATMA1
Rating: 5.0 (99 reviews)

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Parte del produttore: BSZ100N06LS3GATMA1

Produttore: IR (Infineon Technologies)

Descrizione: MOSFET N-CH 60V 11A/20A 8TSDSON

Categoria: prodotti a semiconduttori discreti

Famiglia: transistor - fet, mosfet - singoli

Serie: -

Disponibile: 1001217

Schede tecniche in linea: BSZ100N06LS3GATMA1 PDF

BSZ100N06LS3GATMA1 Avviso

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serie:OptiMOS™
pacchetto:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
stato di parte:Active
tipo di piedi:N-Channel
tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
drain to source tensione (vdss):60 V
corrente - scarico continuo (id) @ 25°c:11A (Ta), 20A (Tc)
tensione di azionamento (max rds acceso, min rds acceso):4.5V, 10V
rds su (max) @ id, vgs:10mOhm @ 20A, 10V
vgs(th) (max) @ id:2.2V @ 23µA

addebito del cancello (qg) (max) @ vgs:45 nC @ 10 V
vg (massimo):±20V
capacità di ingresso (ciss) (max) @ vds:3500 pF @ 30 V
caratteristica dei piedi:-
dissipazione di potenza (max):2.1W (Ta), 50W (Tc)
temperatura di esercizio:-55°C ~ 150°C (TJ)
tipo di montaggio:Surface Mount
pacchetto di dispositivi del fornitore:PG-TSDSON-8
pacchetto / custodia:8-PowerVDFN

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