XPH2R106NC,L1XHQ

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Parte del produttore

XPH2R106NC,L1XHQ

Produttore
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Descrizione
MOSFET N-CH 60V 110A 8SOP
Categoria
prodotti a semiconduttori discreti
Famiglia
transistor - fet, mosfet - singoli
Serie
-
Disponibile
9832
Schede tecniche in linea
-
Inchiesta
  • serie:Automotive, AEC-Q101, U-MOSVIII-H
  • pacchetto:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
  • stato di parte:Active
  • tipo di piedi:N-Channel
  • tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
  • drain to source tensione (vdss):60 V
  • corrente - scarico continuo (id) @ 25°c:110A (Ta)
  • tensione di azionamento (max rds acceso, min rds acceso):-
  • rds su (max) @ id, vgs:2.1mOhm @ 55A, 10V
  • vgs(th) (max) @ id:2.5V @ 1mA
  • addebito del cancello (qg) (max) @ vgs:104 nC @ 10 V
  • vg (massimo):±20V
  • capacità di ingresso (ciss) (max) @ vds:6900 pF @ 10 V
  • caratteristica dei piedi:-
  • dissipazione di potenza (max):960mW (Ta), 170W (Tc)
  • temperatura di esercizio:175°C
  • tipo di montaggio:Surface Mount
  • pacchetto di dispositivi del fornitore:8-SOP Advance (5x5)
  • pacchetto / custodia:8-PowerVDFN
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