SIHU5N50D-E3

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Parte del produttore

SIHU5N50D-E3

Produttore
Vishay / Siliconix
Descrizione
MOSFET N-CH 500V 5.3A TO251AA
Categoria
prodotti a semiconduttori discreti
Famiglia
transistor - fet, mosfet - singoli
Serie
-
Disponibile
0
Schede tecniche in linea
SIHU5N50D-E3 PDF
Inchiesta
  • serie:-
  • pacchetto:Tube
  • stato di parte:Active
  • tipo di piedi:N-Channel
  • tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
  • drain to source tensione (vdss):500 V
  • corrente - scarico continuo (id) @ 25°c:5.3A (Tc)
  • tensione di azionamento (max rds acceso, min rds acceso):10V
  • rds su (max) @ id, vgs:1.5Ohm @ 2.5A, 10V
  • vgs(th) (max) @ id:5V @ 250µA
  • addebito del cancello (qg) (max) @ vgs:20 nC @ 10 V
  • vg (massimo):±30V
  • capacità di ingresso (ciss) (max) @ vds:325 pF @ 100 V
  • caratteristica dei piedi:-
  • dissipazione di potenza (max):104W (Tc)
  • temperatura di esercizio:-55°C ~ 150°C (TJ)
  • tipo di montaggio:Through Hole
  • pacchetto di dispositivi del fornitore:TO-251AA
  • pacchetto / custodia:TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
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