IRLD014PBF

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Parte del produttore

IRLD014PBF

Produttore
Vishay / Siliconix
Descrizione
MOSFET N-CH 60V 1.7A 4DIP
Categoria
prodotti a semiconduttori discreti
Famiglia
transistor - fet, mosfet - singoli
Serie
-
Disponibile
7055
Schede tecniche in linea
IRLD014PBF PDF
Inchiesta
  • serie:-
  • pacchetto:Tube
  • stato di parte:Active
  • tipo di piedi:N-Channel
  • tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
  • drain to source tensione (vdss):60 V
  • corrente - scarico continuo (id) @ 25°c:1.7A (Ta)
  • tensione di azionamento (max rds acceso, min rds acceso):4V, 5V
  • rds su (max) @ id, vgs:200mOhm @ 1A, 5V
  • vgs(th) (max) @ id:2V @ 250µA
  • addebito del cancello (qg) (max) @ vgs:8.4 nC @ 5 V
  • vg (massimo):±10V
  • capacità di ingresso (ciss) (max) @ vds:400 pF @ 25 V
  • caratteristica dei piedi:-
  • dissipazione di potenza (max):1.3W (Ta)
  • temperatura di esercizio:-55°C ~ 175°C (TJ)
  • tipo di montaggio:Through Hole
  • pacchetto di dispositivi del fornitore:4-DIP, Hexdip, HVMDIP
  • pacchetto / custodia:4-DIP (0.300", 7.62mm)
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