MT47H512M4THN-25E:M

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Parte del produttore

MT47H512M4THN-25E:M

Produttore
Micron Technology
Descrizione
IC DRAM 2GBIT PARALLEL 63FBGA
Categoria
circuiti integrati
Famiglia
memoria
Serie
-
Disponibile
0
Schede tecniche in linea
MT47H512M4THN-25E:M PDF
Inchiesta
  • serie:-
  • pacchetto:Tray
  • stato di parte:Obsolete
  • tipo di memoria:Volatile
  • formato di memoria:DRAM
  • tecnologia:SDRAM - DDR2
  • Dimensione della memoria:2Gb (512M x 4)
  • interfaccia di memoria:Parallel
  • frequenza di clock:400 MHz
  • scrivere tempo ciclo - parola, pagina:15ns
  • tempo di accesso:400 ps
  • tensione - alimentazione:1.7V ~ 1.9V
  • temperatura di esercizio:0°C ~ 85°C (TC)
  • tipo di montaggio:Surface Mount
  • pacchetto / custodia:63-TFBGA
  • pacchetto di dispositivi del fornitore:63-FBGA (8x10)
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