Name: MT41K256M16TW-107 V:P TR
Brand: Micron Technology
SKU: MT41K256M16TW-107 V:P TR
Rating: 5.0 (99 reviews)

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Parte del produttore: MT41K256M16TW-107 V:P TR

Produttore: Micron Technology

Descrizione: IC DRAM 4GBIT PARALLEL 96FBGA

Categoria: circuiti integrati

Famiglia: memoria

Serie: -

Disponibile: 0

Schede tecniche in linea: -

MT41K256M16TW-107 V:P TR Avviso

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serie:-
pacchetto:Tape & Reel (TR)
stato di parte:Obsolete
tipo di memoria:Volatile
formato di memoria:DRAM
tecnologia:SDRAM - DDR3L
Dimensione della memoria:4Gb (256M x 16)
interfaccia di memoria:Parallel

frequenza di clock:933 MHz
scrivere tempo ciclo - parola, pagina:-
tempo di accesso:20 ns
tensione - alimentazione:1.283V ~ 1.45V
temperatura di esercizio:0°C ~ 95°C (TC)
tipo di montaggio:Surface Mount
pacchetto / custodia:96-TFBGA
pacchetto di dispositivi del fornitore:96-FBGA (8x14)

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Numero di parte	Descrizione	Azione	Prezzo unitario
M24C01-RMN6P STMicroelectronics	IC EEPROM 1KBIT I2C 400KHZ 8SO	Disponibile: 9.536	$0.13000
CAT25128XE Rochester Electronics	IC EEPROM 128KBIT SPI 8SOIC	Disponibile: 6.608	$0.88000
S29AL016J70BFI012 Cypress Semiconductor	IC FLASH 16MBIT PARALLEL 48FBGA	Disponibile: 0	$1.70041
S70GL02GP11FAIR10 Flip Electronics	IC FLASH 2GBIT PARALLEL 64FBGA	Disponibile: 2.909	$22.94000
CAT93C46VI-G Rochester Electronics	IC EEPROM 1KBIT SPI 2MHZ 8SOIC	Disponibile: 38.517	$0.21000
R1LP0108ESN-5SI#B1 Renesas Electronics America	IC SRAM 1MBIT PARALLEL 32SOP	Disponibile: 391	$3.27000
CY62147DV30LL-70ZSXIT Rochester Electronics	STANDARD SRAM, 256KX16, 70NS	Disponibile: 945	$2.54000
AS4C256M8D3LB-12BIN Alliance Memory, Inc.	IC DRAM 2GBIT PARALLEL 78FBGA	Disponibile: 53	$7.61000
UPD46364362BF1-E40Y-EQ1-A Rochester Electronics	DDR SRAM, 1MX36, 0.45NS	Disponibile: 227	$23.36000
AT28C256E-15SU Roving Networks / Microchip Technology	IC EEPROM 256KBIT PAR 28SOIC	Disponibile: 164	$10.24000