PDTD123TK,115

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Parte del produttore

PDTD123TK,115

Produttore
NXP Semiconductors
Descrizione
TRANS PREBIAS NPN 250MW SMT3
Categoria
prodotti a semiconduttori discreti
Famiglia
transistor - bipolare (bjt) - singolo, pre-polarizzato
Serie
-
Disponibile
0
Schede tecniche in linea
PDTD123TK,115 PDF
Inchiesta
  • serie:-
  • pacchetto:Tape & Reel (TR)
  • stato di parte:Obsolete
  • tipo a transistor:NPN - Pre-Biased
  • corrente - collettore (ic) (max):500 mA
  • tensione - guasto collettore emettitore (max):50 V
  • resistenza - base (r1):2.2 kOhms
  • resistenza - base emettitore (r2):-
  • guadagno di corrente cc (hfe) (min) @ ic, vce:100 @ 50mA, 5V
  • vce saturazione (max) @ ib, ic:300mV @ 2.5mA, 50mA
  • corrente - interruzione del collettore (max):500nA
  • frequenza - transizione:-
  • potenza - max:250 mW
  • tipo di montaggio:Surface Mount
  • pacchetto / custodia:TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • pacchetto di dispositivi del fornitore:SMT3; MPAK
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