19MT050XF

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Parte del produttore

19MT050XF

Produttore
Vishay General Semiconductor – Diodes Division
Descrizione
MOSFET 4N-CH 500V 31A MTP
Categoria
prodotti a semiconduttori discreti
Famiglia
transistor - fet, mosfet - array
Serie
-
Disponibile
0
Schede tecniche in linea
19MT050XF PDF
Inchiesta
  • serie:HEXFET®
  • pacchetto:Bulk
  • stato di parte:Obsolete
  • tipo di piedi:4 N-Channel (H-Bridge)
  • caratteristica dei piedi:Standard
  • drain to source tensione (vdss):500V
  • corrente - scarico continuo (id) @ 25°c:31A
  • rds su (max) @ id, vgs:220mOhm @ 19A, 10V
  • vgs(th) (max) @ id:6V @ 250µA
  • addebito del cancello (qg) (max) @ vgs:160nC @ 10V
  • capacità di ingresso (ciss) (max) @ vds:7210pF @ 25V
  • potenza - max:1140W
  • temperatura di esercizio:-40°C ~ 150°C (TJ)
  • tipo di montaggio:Chassis Mount
  • pacchetto / custodia:16-MTP Module
  • pacchetto di dispositivi del fornitore:16-MTP
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