HAT2210RWS-E

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Parte del produttore

HAT2210RWS-E

Produttore
Renesas Electronics America
Descrizione
MOSFET N-PAK 8SOP
Categoria
prodotti a semiconduttori discreti
Famiglia
transistor - fet, mosfet - array
Serie
-
Disponibile
0
Schede tecniche in linea
-
Inchiesta
  • serie:-
  • pacchetto:Tape & Reel (TR)
  • stato di parte:Obsolete
  • tipo di piedi:2 N-Channel (Dual), Schottky
  • caratteristica dei piedi:Logic Level Gate, 4.5V Drive
  • drain to source tensione (vdss):30V
  • corrente - scarico continuo (id) @ 25°c:7.5A (Ta), 8A (Ta)
  • rds su (max) @ id, vgs:24mOhm @ 3.75A, 10V, 22mOhm @ 4A, 10V
  • vgs(th) (max) @ id:2.5V @ 1mA
  • addebito del cancello (qg) (max) @ vgs:4.6nC @ 4.5V, 11nC @ 4.5V
  • capacità di ingresso (ciss) (max) @ vds:630pF @ 10V, 1330pF @ 10V
  • potenza - max:1.5W (Ta)
  • temperatura di esercizio:150°C
  • tipo di montaggio:Surface Mount
  • pacchetto / custodia:8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • pacchetto di dispositivi del fornitore:8-SOP
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