APTSM120TAM33CTPAG

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Parte del produttore

APTSM120TAM33CTPAG

Produttore
Microsemi
Descrizione
POWER MODULE - SIC
Categoria
prodotti a semiconduttori discreti
Famiglia
transistor - fet, mosfet - array
Serie
-
Disponibile
0
Schede tecniche in linea
-
Inchiesta
  • serie:-
  • pacchetto:Bulk
  • stato di parte:Active
  • tipo di piedi:6 N-Channel (3-Phase Bridge)
  • caratteristica dei piedi:Silicon Carbide (SiC)
  • drain to source tensione (vdss):1200V (1.2kV)
  • corrente - scarico continuo (id) @ 25°c:112A (Tc)
  • rds su (max) @ id, vgs:33mOhm @ 60A, 20V
  • vgs(th) (max) @ id:3V @ 3mA
  • addebito del cancello (qg) (max) @ vgs:408nC @ 20V
  • capacità di ingresso (ciss) (max) @ vds:7680pF @ 1000V
  • potenza - max:714W
  • temperatura di esercizio:-40°C ~ 175°C (TJ)
  • tipo di montaggio:Chassis Mount
  • pacchetto / custodia:SP6
  • pacchetto di dispositivi del fornitore:SP6
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