EPC2106ENGRT

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Parte del produttore

EPC2106ENGRT

Produttore
EPC
Descrizione
GAN TRANS 2N-CH 100V BUMPED DIE
Categoria
prodotti a semiconduttori discreti
Famiglia
transistor - fet, mosfet - array
Serie
-
Disponibile
0
Schede tecniche in linea
EPC2106ENGRT PDF
Inchiesta
  • serie:eGaN®
  • pacchetto:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
  • stato di parte:Discontinued at Digi-Key
  • tipo di piedi:2 N-Channel (Half Bridge)
  • caratteristica dei piedi:GaNFET (Gallium Nitride)
  • drain to source tensione (vdss):100V
  • corrente - scarico continuo (id) @ 25°c:1.7A
  • rds su (max) @ id, vgs:70mOhm @ 2A, 5V
  • vgs(th) (max) @ id:2.5V @ 600µA
  • addebito del cancello (qg) (max) @ vgs:0.73nC @ 5V
  • capacità di ingresso (ciss) (max) @ vds:75pF @ 50V
  • potenza - max:-
  • temperatura di esercizio:-40°C ~ 150°C (TJ)
  • tipo di montaggio:Surface Mount
  • pacchetto / custodia:Die
  • pacchetto di dispositivi del fornitore:Die
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