NE3511S02-A

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Parte del produttore

NE3511S02-A

Produttore
CEL (California Eastern Laboratories)
Descrizione
HJ-FET NCH 13.5DB S02
Categoria
prodotti a semiconduttori discreti
Famiglia
transistor - fet, mosfet - rf
Serie
-
Disponibile
0
Schede tecniche in linea
NE3511S02-A PDF
Inchiesta
  • serie:-
  • pacchetto:Bulk
  • stato di parte:Obsolete
  • tipo a transistor:HFET
  • frequenza:12GHz
  • guadagno:13.5dB
  • tensione - prova:2 V
  • corrente nominale (ampere):70mA
  • figura di rumore:0.3dB
  • corrente - prova:10 mA
  • potenza - uscita:-
  • tensione - nominale:4 V
  • pacchetto / custodia:4-SMD, Flat Leads
  • pacchetto di dispositivi del fornitore:S02
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