1N4448_T50R

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Parte del produttore

1N4448_T50R

Produttore
Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Descrizione
DIODE GEN PURP 100V 200MA DO35
Categoria
prodotti a semiconduttori discreti
Famiglia
diodi - raddrizzatori - singoli
Serie
-
Disponibile
0
Schede tecniche in linea
1N4448_T50R PDF
Inchiesta
  • serie:-
  • pacchetto:Tape & Reel (TR)
  • stato di parte:Obsolete
  • tipo di diodo:Standard
  • tensione - dc inversa (vr) (max):100 V
  • corrente - media rettificata (io):200mA
  • tensione - avanti (vf) (max) @ se:1 V @ 100 mA
  • velocità:Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
  • tempo di recupero inverso (trr):4 ns
  • corrente - dispersione inversa @ vr:5 µA @ 75 V
  • capacità @ vr, f:2pF @ 0V, 1MHz
  • tipo di montaggio:Through Hole
  • pacchetto / custodia:DO-204AH, DO-35, Axial
  • pacchetto di dispositivi del fornitore:DO-35
  • temperatura di esercizio - giunzione:-65°C ~ 175°C
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