GT50J121(Q)

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Parte del produttore

GT50J121(Q)

Produttore
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Descrizione
IGBT 600V 50A 240W TO3P LH
Categoria
prodotti a semiconduttori discreti
Famiglia
transistor - igbts - singolo
Serie
-
Disponibile
0
Schede tecniche in linea
GT50J121(Q) PDF
Inchiesta
  • serie:-
  • pacchetto:Tube
  • stato di parte:Obsolete
  • tipo igbt:-
  • tensione - guasto collettore emettitore (max):600 V
  • corrente - collettore (ic) (max):50 A
  • corrente - collettore pulsato (icm):100 A
  • vce(on) (max) @ vge, ic:2.45V @ 15V, 50A
  • potenza - max:240 W
  • energia di commutazione:1.3mJ (on), 1.34mJ (off)
  • tipo di ingresso:Standard
  • carica di cancello:-
  • td (acceso/spento) @ 25°c:90ns/300ns
  • condizione di test:300V, 50A, 13Ohm, 15V
  • tempo di recupero inverso (trr):-
  • temperatura di esercizio:150°C (TJ)
  • tipo di montaggio:Through Hole
  • pacchetto / custodia:TO-3PL
  • pacchetto di dispositivi del fornitore:TO-3P(LH)
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