IRG7CH75K10EF-R

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Parte del produttore

IRG7CH75K10EF-R

Produttore
IR (Infineon Technologies)
Descrizione
IGBT 1200V ULTRA FAST DIE
Categoria
prodotti a semiconduttori discreti
Famiglia
transistor - igbts - singolo
Serie
-
Disponibile
0
Schede tecniche in linea
IRG7CH75K10EF-R PDF
Inchiesta
  • serie:-
  • pacchetto:Bulk
  • stato di parte:Obsolete
  • tipo igbt:-
  • tensione - guasto collettore emettitore (max):1200 V
  • corrente - collettore (ic) (max):-
  • corrente - collettore pulsato (icm):-
  • vce(on) (max) @ vge, ic:1.53V @ 15V, 20A
  • potenza - max:-
  • energia di commutazione:-
  • tipo di ingresso:Standard
  • carica di cancello:500 nC
  • td (acceso/spento) @ 25°c:120ns/445ns
  • condizione di test:600V, 100A, 5Ohm, 15V
  • tempo di recupero inverso (trr):-
  • temperatura di esercizio:-40°C ~ 175°C (TJ)
  • tipo di montaggio:Surface Mount
  • pacchetto / custodia:Die
  • pacchetto di dispositivi del fornitore:Die
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