Name: GT10J312(Q)
Brand: Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
SKU: GT10J312(Q)
Rating: 5.0 (99 reviews)

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Parte del produttore: GT10J312(Q)

Produttore: Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation

Descrizione: IGBT 600V 10A 60W TO220SM

Categoria: prodotti a semiconduttori discreti

Famiglia: transistor - igbts - singolo

Serie: -

Disponibile: 0

Schede tecniche in linea: GT10J312(Q) PDF

GT10J312(Q) Avviso

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serie:-
pacchetto:Tube
stato di parte:Obsolete
tipo igbt:-
tensione - guasto collettore emettitore (max):600 V
corrente - collettore (ic) (max):10 A
corrente - collettore pulsato (icm):20 A
vce(on) (max) @ vge, ic:2.7V @ 15V, 10A
potenza - max:60 W
energia di commutazione:-

tipo di ingresso:Standard
carica di cancello:-
td (acceso/spento) @ 25°c:400ns/400ns
condizione di test:300V, 10A, 100Ohm, 15V
tempo di recupero inverso (trr):200 ns
temperatura di esercizio:150°C (TJ)
tipo di montaggio:Surface Mount
pacchetto / custodia:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
pacchetto di dispositivi del fornitore:TO-220SM

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Numero di parte	Descrizione	Azione	Prezzo unitario
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