GPA025A120MN-ND

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Parte del produttore

GPA025A120MN-ND

Produttore
SemiQ
Descrizione
IGBT 1200V 50A 312W TO3PN
Categoria
prodotti a semiconduttori discreti
Famiglia
transistor - igbts - singolo
Serie
-
Disponibile
0
Schede tecniche in linea
GPA025A120MN-ND PDF
Inchiesta
  • serie:-
  • pacchetto:Tube
  • stato di parte:Obsolete
  • tipo igbt:NPT and Trench
  • tensione - guasto collettore emettitore (max):1200 V
  • corrente - collettore (ic) (max):50 A
  • corrente - collettore pulsato (icm):75 A
  • vce(on) (max) @ vge, ic:2.5V @ 15V, 25A
  • potenza - max:312 W
  • energia di commutazione:4.15mJ (on), 870µJ (off)
  • tipo di ingresso:Standard
  • carica di cancello:350 nC
  • td (acceso/spento) @ 25°c:57ns/240ns
  • condizione di test:600V, 25A, 10Ohm, 15V
  • tempo di recupero inverso (trr):480 ns
  • temperatura di esercizio:-55°C ~ 150°C (TJ)
  • tipo di montaggio:Through Hole
  • pacchetto / custodia:TO-3
  • pacchetto di dispositivi del fornitore:TO-3PN
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