Name: GT60N321(Q)
Brand: Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
SKU: GT60N321(Q)
Rating: 5.0 (99 reviews)

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Parte del produttore: GT60N321(Q)

Produttore: Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation

Descrizione: IGBT 1000V 60A 170W TO3P LH

Categoria: prodotti a semiconduttori discreti

Famiglia: transistor - igbts - singolo

Serie: -

Disponibile: 0

Schede tecniche in linea: GT60N321(Q) PDF

GT60N321(Q) Avviso

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serie:-
pacchetto:Tube
stato di parte:Obsolete
tipo igbt:-
tensione - guasto collettore emettitore (max):1000 V
corrente - collettore (ic) (max):60 A
corrente - collettore pulsato (icm):120 A
vce(on) (max) @ vge, ic:2.8V @ 15V, 60A
potenza - max:170 W
energia di commutazione:-

tipo di ingresso:Standard
carica di cancello:-
td (acceso/spento) @ 25°c:330ns/700ns
condizione di test:-
tempo di recupero inverso (trr):2.5 µs
temperatura di esercizio:150°C (TJ)
tipo di montaggio:Through Hole
pacchetto / custodia:TO-3PL
pacchetto di dispositivi del fornitore:TO-3P(LH)

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