GT8G133(TE12L,Q)

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Parte del produttore

GT8G133(TE12L,Q)

Produttore
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Descrizione
IGBT 400V 600MW 8TSSOP
Categoria
prodotti a semiconduttori discreti
Famiglia
transistor - igbts - singolo
Serie
-
Disponibile
0
Schede tecniche in linea
GT8G133(TE12L,Q) PDF
Inchiesta
  • serie:-
  • pacchetto:Tape & Reel (TR)
  • stato di parte:Obsolete
  • tipo igbt:-
  • tensione - guasto collettore emettitore (max):400 V
  • corrente - collettore (ic) (max):-
  • corrente - collettore pulsato (icm):150 A
  • vce(on) (max) @ vge, ic:2.9V @ 4V, 150A
  • potenza - max:600 mW
  • energia di commutazione:-
  • tipo di ingresso:Standard
  • carica di cancello:-
  • td (acceso/spento) @ 25°c:1.7µs/2µs
  • condizione di test:-
  • tempo di recupero inverso (trr):-
  • temperatura di esercizio:150°C (TJ)
  • tipo di montaggio:Surface Mount
  • pacchetto / custodia:8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
  • pacchetto di dispositivi del fornitore:8-TSSOP
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