HAT2171H-EL-E

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Parte del produttore

HAT2171H-EL-E

Produttore
Renesas Electronics America
Descrizione
MOSFET N-CH 40V 40A LFPAK
Categoria
prodotti a semiconduttori discreti
Famiglia
transistor - fet, mosfet - singoli
Serie
-
Disponibile
500000
Schede tecniche in linea
HAT2171H-EL-E PDF
Inchiesta
  • serie:-
  • pacchetto:Tape & Reel (TR)
  • stato di parte:Active
  • tipo di piedi:N-Channel
  • tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
  • drain to source tensione (vdss):40 V
  • corrente - scarico continuo (id) @ 25°c:40A (Ta)
  • tensione di azionamento (max rds acceso, min rds acceso):7V, 10V
  • rds su (max) @ id, vgs:4.8mOhm @ 20A, 10V
  • vgs(th) (max) @ id:-
  • addebito del cancello (qg) (max) @ vgs:52 nC @ 10 V
  • vg (massimo):±20V
  • capacità di ingresso (ciss) (max) @ vds:3750 pF @ 10 V
  • caratteristica dei piedi:-
  • dissipazione di potenza (max):25W (Tc)
  • temperatura di esercizio:150°C (TJ)
  • tipo di montaggio:Surface Mount
  • pacchetto di dispositivi del fornitore:LFPAK
  • pacchetto / custodia:SC-100, SOT-669
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