SI2335DS-T1-E3

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Parte del produttore

SI2335DS-T1-E3

Produttore
Vishay / Siliconix
Descrizione
MOSFET P-CH 12V 3.2A SOT23-3
Categoria
prodotti a semiconduttori discreti
Famiglia
transistor - fet, mosfet - singoli
Serie
-
Disponibile
1500000
Schede tecniche in linea
SI2335DS-T1-E3 PDF
Inchiesta
  • serie:TrenchFET®
  • pacchetto:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
  • stato di parte:Obsolete
  • tipo di piedi:P-Channel
  • tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
  • drain to source tensione (vdss):12 V
  • corrente - scarico continuo (id) @ 25°c:3.2A (Ta)
  • tensione di azionamento (max rds acceso, min rds acceso):1.8V, 4.5V
  • rds su (max) @ id, vgs:51mOhm @ 4A, 4.5V
  • vgs(th) (max) @ id:450mV @ 250µA (Min)
  • addebito del cancello (qg) (max) @ vgs:15 nC @ 4.5 V
  • vg (massimo):±8V
  • capacità di ingresso (ciss) (max) @ vds:1225 pF @ 6 V
  • caratteristica dei piedi:-
  • dissipazione di potenza (max):750mW (Ta)
  • temperatura di esercizio:-55°C ~ 150°C (TJ)
  • tipo di montaggio:Surface Mount
  • pacchetto di dispositivi del fornitore:SOT-23-3 (TO-236)
  • pacchetto / custodia:TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
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