IRF7665S2TR1PBF

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Parte del produttore

IRF7665S2TR1PBF

Produttore
IR (Infineon Technologies)
Descrizione
MOSFET N-CH 100V 4.1A DIRECTFET
Categoria
prodotti a semiconduttori discreti
Famiglia
transistor - fet, mosfet - singoli
Serie
-
Disponibile
17144
Schede tecniche in linea
IRF7665S2TR1PBF PDF
Inchiesta
  • serie:-
  • pacchetto:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
  • stato di parte:Obsolete
  • tipo di piedi:N-Channel
  • tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
  • drain to source tensione (vdss):100 V
  • corrente - scarico continuo (id) @ 25°c:4.1A (Ta), 14.4A (Tc)
  • tensione di azionamento (max rds acceso, min rds acceso):10V
  • rds su (max) @ id, vgs:62mOhm @ 8.9A, 10V
  • vgs(th) (max) @ id:5V @ 25µA
  • addebito del cancello (qg) (max) @ vgs:13 nC @ 10 V
  • vg (massimo):±20V
  • capacità di ingresso (ciss) (max) @ vds:515 pF @ 25 V
  • caratteristica dei piedi:-
  • dissipazione di potenza (max):2.4W (Ta), 30W (Tc)
  • temperatura di esercizio:-55°C ~ 175°C (TJ)
  • tipo di montaggio:Surface Mount
  • pacchetto di dispositivi del fornitore:DIRECTFET SB
  • pacchetto / custodia:DirectFET™ Isometric SB
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