STP8NM50

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Parte del produttore

STP8NM50

Produttore
STMicroelectronics
Descrizione
MOSFET N-CH 550V 8A TO220AB
Categoria
prodotti a semiconduttori discreti
Famiglia
transistor - fet, mosfet - singoli
Serie
-
Disponibile
5000
Schede tecniche in linea
STP8NM50 PDF
Inchiesta
  • serie:MDmesh™ II
  • pacchetto:Tube
  • stato di parte:Obsolete
  • tipo di piedi:N-Channel
  • tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
  • drain to source tensione (vdss):550 V
  • corrente - scarico continuo (id) @ 25°c:8A (Tc)
  • tensione di azionamento (max rds acceso, min rds acceso):10V
  • rds su (max) @ id, vgs:800mOhm @ 2.5A, 10V
  • vgs(th) (max) @ id:5V @ 250µA
  • addebito del cancello (qg) (max) @ vgs:13 nC @ 10 V
  • vg (massimo):±30V
  • capacità di ingresso (ciss) (max) @ vds:415 pF @ 25 V
  • caratteristica dei piedi:-
  • dissipazione di potenza (max):100W (Tc)
  • temperatura di esercizio:-65°C ~ 150°C (TJ)
  • tipo di montaggio:Through Hole
  • pacchetto di dispositivi del fornitore:TO-220AB
  • pacchetto / custodia:TO-220-3
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