FDC5612_F095

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Parte del produttore

FDC5612_F095

Produttore
Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Descrizione
MOSFET N-CH 60V 4.3A SUPERSOT6
Categoria
prodotti a semiconduttori discreti
Famiglia
transistor - fet, mosfet - singoli
Serie
-
Disponibile
0
Schede tecniche in linea
FDC5612_F095 PDF
Inchiesta
  • serie:PowerTrench®
  • pacchetto:Tape & Reel (TR)
  • stato di parte:Obsolete
  • tipo di piedi:N-Channel
  • tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
  • drain to source tensione (vdss):60 V
  • corrente - scarico continuo (id) @ 25°c:4.3A (Ta)
  • tensione di azionamento (max rds acceso, min rds acceso):6V, 10V
  • rds su (max) @ id, vgs:55mOhm @ 4.3A, 10V
  • vgs(th) (max) @ id:4V @ 250µA
  • addebito del cancello (qg) (max) @ vgs:18 nC @ 10 V
  • vg (massimo):±20V
  • capacità di ingresso (ciss) (max) @ vds:650 pF @ 25 V
  • caratteristica dei piedi:-
  • dissipazione di potenza (max):1.6W (Ta)
  • temperatura di esercizio:-55°C ~ 150°C (TJ)
  • tipo di montaggio:Surface Mount
  • pacchetto di dispositivi del fornitore:SuperSOT™-6
  • pacchetto / custodia:SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
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