PHX8NQ11T,127

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Parte del produttore

PHX8NQ11T,127

Produttore
NXP Semiconductors
Descrizione
MOSFET N-CH 110V 7.5A TO220F
Categoria
prodotti a semiconduttori discreti
Famiglia
transistor - fet, mosfet - singoli
Serie
-
Disponibile
0
Schede tecniche in linea
PHX8NQ11T,127 PDF
Inchiesta
  • serie:TrenchMOS™
  • pacchetto:Tube
  • stato di parte:Obsolete
  • tipo di piedi:N-Channel
  • tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
  • drain to source tensione (vdss):110 V
  • corrente - scarico continuo (id) @ 25°c:7.5A (Tc)
  • tensione di azionamento (max rds acceso, min rds acceso):10V
  • rds su (max) @ id, vgs:180mOhm @ 6A, 10V
  • vgs(th) (max) @ id:4V @ 1mA
  • addebito del cancello (qg) (max) @ vgs:14.7 nC @ 10 V
  • vg (massimo):±20V
  • capacità di ingresso (ciss) (max) @ vds:360 pF @ 25 V
  • caratteristica dei piedi:-
  • dissipazione di potenza (max):27.7W (Tc)
  • temperatura di esercizio:-55°C ~ 150°C (TJ)
  • tipo di montaggio:Through Hole
  • pacchetto di dispositivi del fornitore:TO-220F
  • pacchetto / custodia:TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
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