SI3434DV-T1-E3

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Parte del produttore

SI3434DV-T1-E3

Produttore
Vishay / Siliconix
Descrizione
MOSFET N-CH 30V 4.6A 6TSOP
Categoria
prodotti a semiconduttori discreti
Famiglia
transistor - fet, mosfet - singoli
Serie
-
Disponibile
300000
Schede tecniche in linea
SI3434DV-T1-E3 PDF
Inchiesta
  • serie:TrenchFET®
  • pacchetto:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
  • stato di parte:Obsolete
  • tipo di piedi:N-Channel
  • tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
  • drain to source tensione (vdss):30 V
  • corrente - scarico continuo (id) @ 25°c:4.6A (Ta)
  • tensione di azionamento (max rds acceso, min rds acceso):2.5V, 4.5V
  • rds su (max) @ id, vgs:34mOhm @ 6.1A, 4.5V
  • vgs(th) (max) @ id:600mV @ 1mA (Min)
  • addebito del cancello (qg) (max) @ vgs:12 nC @ 4.5 V
  • vg (massimo):±12V
  • capacità di ingresso (ciss) (max) @ vds:-
  • caratteristica dei piedi:-
  • dissipazione di potenza (max):1.14W (Ta)
  • temperatura di esercizio:-55°C ~ 150°C (TJ)
  • tipo di montaggio:Surface Mount
  • pacchetto di dispositivi del fornitore:6-TSOP
  • pacchetto / custodia:SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
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