PHK12NQ10T,518

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Parte del produttore

PHK12NQ10T,518

Produttore
NXP Semiconductors
Descrizione
MOSFET N-CH 100V 11.6A 8SO
Categoria
prodotti a semiconduttori discreti
Famiglia
transistor - fet, mosfet - singoli
Serie
-
Disponibile
0
Schede tecniche in linea
-
Inchiesta
  • serie:TrenchMOS™
  • pacchetto:Tape & Reel (TR)
  • stato di parte:Obsolete
  • tipo di piedi:N-Channel
  • tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
  • drain to source tensione (vdss):100 V
  • corrente - scarico continuo (id) @ 25°c:11.6A (Tc)
  • tensione di azionamento (max rds acceso, min rds acceso):10V
  • rds su (max) @ id, vgs:28mOhm @ 6A, 10V
  • vgs(th) (max) @ id:4V @ 1mA
  • addebito del cancello (qg) (max) @ vgs:35 nC @ 10 V
  • vg (massimo):±20V
  • capacità di ingresso (ciss) (max) @ vds:1965 pF @ 25 V
  • caratteristica dei piedi:-
  • dissipazione di potenza (max):8.9W (Tc)
  • temperatura di esercizio:-55°C ~ 150°C (TJ)
  • tipo di montaggio:Surface Mount
  • pacchetto di dispositivi del fornitore:8-SO
  • pacchetto / custodia:8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
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