CYD09S36V18-200BBXI

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Parte del produttore

CYD09S36V18-200BBXI

Produttore
Rochester Electronics
Descrizione
IC SRAM 9MBIT PARALLEL 256FBGA
Categoria
circuiti integrati
Famiglia
memoria
Serie
-
Disponibile
49593
Schede tecniche in linea
CYD09S36V18-200BBXI PDF
Inchiesta
  • serie:-
  • pacchetto:Tray
  • stato di parte:Obsolete
  • tipo di memoria:Volatile
  • formato di memoria:SRAM
  • tecnologia:SRAM - Dual Port, Synchronous
  • Dimensione della memoria:9Mb (256K x 36)
  • interfaccia di memoria:Parallel
  • frequenza di clock:200 MHz
  • scrivere tempo ciclo - parola, pagina:-
  • tempo di accesso:3.3 ns
  • tensione - alimentazione:1.42V ~ 1.58V, 1.7V ~ 1.9V
  • temperatura di esercizio:-40°C ~ 85°C (TA)
  • tipo di montaggio:Surface Mount
  • pacchetto / custodia:256-LBGA
  • pacchetto di dispositivi del fornitore:256-FBGA (17x17)
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